Поиск

Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K)

Авторы: Веселов, Д. А. Шашкин, И. С. Бобрецова, Ю. К. Бахвалов, К. В. Лютецкий, А. В. Капитонов, В. А. Пихтин, Н. А. Слипченко, С. О. Соколова, З. Н. Тарасов, И .С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/674988853
Дата корректировки 9:02:25 22 мая 2021 г.
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Веселов, Д. А.
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K)
Электронный ресурс
The investigation of pulse characteristics of semiconductor lasers with broadened waveguide at low temperatures (110-120K)
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил., табл.
Библиография Библиогр.: 13 назв.
Аннотация Исследованы импульсные полупроводниковые лазеры, излучающие в спектральных диапазонах 1000-1100 и 1400-1600 нм при температурах 110-120 K, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что охлаждение до температур лазеров обоих спектральных диапазонов приводит к приближению ватт-амперных характеристик к линейным и достижению оптических мощностей 110 и 20 Вт соответственно. В лазерах, излучающих в спектральном диапазоне 140-1600 нм, эффект низких температур ослаблен. Рассмотрены процессы, влияющие на увеличение внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах. Показано, что рост концентрации носителей заряда в волноводе лазерной структуры сильно зависит от температуры и определяется не мгновенным захватом (скоростью захвата) носителей заряда из волновода в активную область. Показано, что при понижении температуры до 115K концентрация электронов и дырок в волноводе понижается, что приводит к существенному снижению внутренних оптических потерь и увеличению выходной оптической мощности полупроводникового лазера.
Ключевые слова полупроводниковые лазеры
МОС-гидридная эпитаксия
ватт-амперные характеристики лазеров
лазерные диоды
Шашкин, И. С.
Бобрецова, Ю. К.
Бахвалов, К. В.
Лютецкий, А. В.
Капитонов, В. А.
Пихтин, Н. А.
Слипченко, С. О.
Соколова, З. Н.
Тарасов, И .С.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 50, вып. 10. - С. 1414-1419
Имя макрообъекта Веселов_исследование
Тип документа b