-
Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах
Соколова, З. Н., Веселов, Д. А. , Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Асрян, Л. В.
Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 7. - С. 998-1003
Соколова_рост
-
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Растегаева, М. Г., Слипченко, С. О., Стрелец, В. А., Шамахов, В. В., Тарасов, И. С.
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1247-1252 .-
Веселов_к вопросу
-
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K)
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бобрецова, Ю. К., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Капитонов, В. А., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Соколова, З. Н., Тарасов, И .С.
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1414-1419 .-
Веселов_исследование
-
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
Золотарёв, В. В., Копьёв, П. С. , Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Веселов, Д. А. , Бахвалов, К. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом, [Электронный ресурс]
цв. ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 4. - С. 414-419 .-
Шашкин_одномодовые
