| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы излучательные характеристики одномодовых лазеров на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом. Показано, что использование сверхузкого волновода (100 нм) и тонких (70 нм) широкозонных барьеров на границе волновод/эмиттер позволяет решать задачу сужения расходимости излучения в дальней зоне в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры. В разработанных одномодовых лазерах с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.1 мкм) расходимость излучения в плоскости, параллельной и перпендикулярной слоям гетероструктуры, составила 5 и 18.5° соответственно. Разработанные лазеры демонстрируют эффективную работу в одномодовом режиме до мощности 200мВт, а дальнейшее повышение тока приводит к включению дополнительных мод высшего порядка, при этом достигаемая максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена перегревом и составляет 550 мВт. Переход в импульсный режим генерации (длительность импульсов 200 нс) позволил поднять максимальную пиковую мощность до 1500 мВт. |
| Ключевые слова | одномодовые лазеры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 4. - С. 414-419 |
| Имя макрообъекта | Шашкин_одномодовые |
