| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675877364 |
| Дата корректировки | 15:50:14 1 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.04.49150.9334 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шашкин, И. С | |
|
Одномодовые лазеры (1050нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом Электронный ресурс |
|
| Другая форма заглавия | Single-mode lasers (1050 nm) of a mesa-stripe design based on AlGaAs/GaAs heterostructure with ultra-narrow waveguide |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Исследованы излучательные характеристики одномодовых лазеров на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом. Показано, что использование сверхузкого волновода (100 нм) и тонких (70 нм) широкозонных барьеров на границе волновод/эмиттер позволяет решать задачу сужения расходимости излучения в дальней зоне в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры. В разработанных одномодовых лазерах с узким мезаполосковым контактом (ширина 5.1 мкм) расходимость излучения в плоскости, параллельной и перпендикулярной слоям гетероструктуры, составила 5 и 18.5° соответственно. Разработанные лазеры демонстрируют эффективную работу в одномодовом режиме до мощности 200мВт, а дальнейшее повышение тока приводит к включению дополнительных мод высшего порядка, при этом достигаемая максимальная мощность в непрерывном режиме ограничена перегревом и составляет 550 мВт. Переход в импульсный режим генерации (длительность импульсов 200 нс) позволил поднять максимальную пиковую мощность до 1500 мВт. |
| Служебное примечание | Золотарёв, В. В. |
| Копьёв, П. С. | |
| Ключевые слова | одномодовые лазеры |
|
сверхузкие волноводы моды высшего порядка пиковая мощность гетероструктуры полупроводниковые лазеры |
|
|
Лешко, А. Ю Николаев, Д. Н. Шамахов, В. В. Веселов, Д. А. Рудова, Н. А. Бахвалов, К. В. Золотарев, В. В. Слипченко, С. О. Пихтин, Н. А. Копьев, П. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Т. 54, вып. 4. - С. 414-419 |
| Имя макрообъекта | Шашкин_одномодовые |
| Тип документа | b |
