-
Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом
Шашкин, И. С.
Полностью электрическое управление разверткой лазерного луча на основе квантово-размерной гетероструктуры с интегрированным распределенным брэгговским зеркалом, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1491-1498
Шашкин_полностью
-
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Пихтин, Н. А., Растегаева, М. Г., Слипченко, С. О., Стрелец, В. А., Шамахов, В. В., Тарасов, И. С.
К вопросу о внутренних оптических потерях и токовых утечках в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов AlGaInAs/InP, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1247-1252 .-
Веселов_к вопросу
-
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K)
Веселов, Д. А. , Шашкин, И. С., Бобрецова, Ю. К., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Капитонов, В. А., Пихтин, Н. А., Слипченко, С. О., Соколова, З. Н., Тарасов, И .С.
Исследование импульсных характеристик полупроводниковых лазеров с расширенным волноводом при низких температурах (110-120K), [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1414-1419 .-
Веселов_исследование
-
Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
Подоскин, А. А., Романович, Д. Н., Шашкин, И. С., Гаврина, П. С., Соколова, З. Н., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А.
Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 5. - С. 484-489 .-
Подоскин_модель
-
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
Шашкин, И. С., Золотарёв, В. В., Николаев, Д. Н., Шамахов, В. В., Бахвалов, К. В., Лютецкий, А. В., Золотарев, В. В., Слипченко, С. О., Пихтин, Н. А., Копьев, П. С.
Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 408-413
Шашкин_излучательные
