| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Проведены экспериментальные исследования изотипных гетероструктур типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с широкозонным барьером N{0}-AlGaAs толщиной 100 нм, расположенным в n{0}-GaAs-области. Показано, что вольт-амперные характеристики исследуемых структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления, при этом переход в данную область происходит с задержкой по времени, которая может достигать десятков нс. Установлено, что работа в области отрицательного дифференциального сопротивления связана с включением процесса ударной ионизации. Численный анализ в рамках модели энергетического баланса показал, что переход в область отрицательного дифференциального сопротивления связан с формированием домена электрического поля, захватывающего часть слабо легированной области между тонким широкозонным барьером N{0}-AlGaAs и сильно легированным слоем n{+}-GaAs и включением ударной ионизации на границе с указанным сильно легированным слоем n{+}-GaAs. Сравнительный анализ экспериментальных данных и результатов моделирования показал, что для корректного описания вольт-амперных характеристик исследуемых гетероструктур в модели необходимо учесть менее выраженную способность гетероперехода ограничивать транспорт носителей в барьерном слое. |
| Ключевые слова | изотипные гетероструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 452-457 |
|
| Имя макрообъекта | Слипченко_исследования |
