| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675958913 |
| Дата корректировки | 14:30:49 2 июня 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2020.05.49258.9344 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Слипченко, С. О. | |
|
Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs Электронный ресурс |
|
| Investigations of the processes of charge carrier transport in isotype heterostructures of the n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs type with a thin wide-gap AlGaAs barrier | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Проведены экспериментальные исследования изотипных гетероструктур типа n{+}-GaAs/n{0}-GaAs/n{+}-GaAs с широкозонным барьером N{0}-AlGaAs толщиной 100 нм, расположенным в n{0}-GaAs-области. Показано, что вольт-амперные характеристики исследуемых структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления, при этом переход в данную область происходит с задержкой по времени, которая может достигать десятков нс. Установлено, что работа в области отрицательного дифференциального сопротивления связана с включением процесса ударной ионизации. Численный анализ в рамках модели энергетического баланса показал, что переход в область отрицательного дифференциального сопротивления связан с формированием домена электрического поля, захватывающего часть слабо легированной области между тонким широкозонным барьером N{0}-AlGaAs и сильно легированным слоем n{+}-GaAs и включением ударной ионизации на границе с указанным сильно легированным слоем n{+}-GaAs. Сравнительный анализ экспериментальных данных и результатов моделирования показал, что для корректного описания вольт-амперных характеристик исследуемых гетероструктур в модели необходимо учесть менее выраженную способность гетероперехода ограничивать транспорт носителей в барьерном слое. |
| Ключевые слова | изотипные гетероструктуры |
|
гетероструктуры модель энергетического баланса ударная ионизация транспорт в гетероструктурах полупроводниковые гетероструктуры вольт-амперные характеристики |
|
|
Подоскин, А. А. Соболева, О. С. Юферев, В. С. Головин, В. С. Гаврина, П. С. Романович, Д. Н. Мирошников, И. В. Пихтин, Н. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 452-457 |
|
| Имя макрообъекта | Слипченко_исследования |
| Тип документа | b |
