| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены три лазерные структуры с одиночной напряженной квантовой ямой из InGaAs и волноводной областью из GaAs или Al[0.1]Ga[0.9]As. В этих структурах, имеющих различную глубину квантовой ямы, были измерены плотность порогового тока и внутренняя дифференциальная квантовая эффективность. С использованием экспериментальных значений этих величин была вычислена скорость захвата электронов в квантовую яму в каждой из трех структур. Получено, что скорость захвата в глубокие ямы существенно меньше, чем в мелкие. |
| Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 679-682 |
| Имя макрообъекта | Соколова_скорость |
