| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670943883 |
| Дата корректировки | 13:26:14 5 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соколова, З. Н. | |
|
Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах Электронный ресурс |
|
| Electron capture velocity versus quantum well depth in semiconductor lasers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены три лазерные структуры с одиночной напряженной квантовой ямой из InGaAs и волноводной областью из GaAs или Al[0.1]Ga[0.9]As. В этих структурах, имеющих различную глубину квантовой ямы, были измерены плотность порогового тока и внутренняя дифференциальная квантовая эффективность. С использованием экспериментальных значений этих величин была вычислена скорость захвата электронов в квантовую яму в каждой из трех структур. Получено, что скорость захвата в глубокие ямы существенно меньше, чем в мелкие. |
| Ключевые слова | полупроводниковые лазеры |
|
квантовые ямы МОС-гидридная эпитаксия лазерные структуры арсенид галлия арсенид галлия-индия |
|
|
Бахвалов, К. В. Лютецкий, А. В. Пихтин, Н. А. Тарасов, И. С. Асрян, Л. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 5. - С. 679-682 |
| Имя макрообъекта | Соколова_скорость |
| Тип документа | b |
