Поиск

Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Авторы: Соболева, О. С. Головин, В. С. Юферев, В. С. Гаврина, П. С. Пихтин, Н. А. Слипченко, С. О. Подоскин, А. А.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Электронный ресурс
Аннотация Представлена двухмерная модель транспорта для исследования пространственной токовой динамики включения лазера-тиристора, учитывающая оптическую обратную связь, ударную ионизацию, насыщение скорости дрейфа в сильных электрических полях. Показано наличие локализации тока при включении лазера-тиристора и взаимосвязи между неоднородностью распределения тока управления в зависимости от его амплитуды и положения начальной области включения. Время включения лазера-тиристора составляет 13 нс при напряжении питания 26 В, время распространения включенного состояния на всю ширину 200 мкм полоска ~ 65 нс, данные параметры остаются неизменными в независимости от пространственной динамики включения.
Ключевые слова лазеры-тиристоры
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 5. - С. 478-483
Имя макрообъекта Соболева_моделирование