| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675959863 |
| Дата корректировки | 14:45:08 2 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.05.49265.9341 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соболева, О. С. | |
|
Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора (лямбда = 905нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs Электронный ресурс |
|
| Modeling of the turn-ON spatial dynamics of the AlGaAs/InGaAs/GaAs laser-thyristor ( lambda = 905nm) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Представлена двухмерная модель транспорта для исследования пространственной токовой динамики включения лазера-тиристора, учитывающая оптическую обратную связь, ударную ионизацию, насыщение скорости дрейфа в сильных электрических полях. Показано наличие локализации тока при включении лазера-тиристора и взаимосвязи между неоднородностью распределения тока управления в зависимости от его амплитуды и положения начальной области включения. Время включения лазера-тиристора составляет 13 нс при напряжении питания 26 В, время распространения включенного состояния на всю ширину 200 мкм полоска ~ 65 нс, данные параметры остаются неизменными в независимости от пространственной динамики включения. |
| Ключевые слова | лазеры-тиристоры |
|
пространственная динамика моделирование пространственной динамики гетероструктуры локализация тока ударная ионизация транспорт в гетероструктурах полупроводниковые лазеры |
|
|
Головин, В. С. Юферев, В. С. Гаврина, П. С. Пихтин, Н. А. Слипченко, С. О. Подоскин, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 5. - С. 478-483 |
|
| Имя макрообъекта | Соболева_моделирование |
| Тип документа | b |
