| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Впервые удалось показать, что управление структурными и оптическими функциональными характеристиками интегрированных гетроструктур GaAs/Si(100) может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек Si(100) и их предварительного травления. Рост эпитаксиального слоя GaAs на подложках кремниябез образованияант ифазных доменов может быть выполнен на подложке, отклоненной от сингулярной плоскости (100) менее чем на 4-6° или без использования переходного слоя из наностолбиков GaAs. Выполненная предварительная обработка кремниевой подложки в виде травленияпо зволяет получить на ней методом газофазной эпитаксии пленку GaAs в монокристаллическом состоянии со значительно меньшим коэффициентом релаксации, что положительно отражается на ее структурном качестве. Эти данные находятся в хорошем согласовании с результатами ИК-спектроскопии на отражение, фотолюминесцентной и УФ-спектроскопии. Особенности оптических свойств интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100) в инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра также определяются значением коэффициента релаксации. |
| Ключевые слова | гетероструктуры GaAs/Si(100) |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 881-890 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
