| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689520567 |
| Дата корректировки | 13:36:45 6 ноября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.08.46213.8737 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Influence of misorientation of the substrate and its preliminary etching on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) MOCVD heterostructures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| Аннотация | Впервые удалось показать, что управление структурными и оптическими функциональными характеристиками интегрированных гетроструктур GaAs/Si(100) может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек Si(100) и их предварительного травления. Рост эпитаксиального слоя GaAs на подложках кремниябез образованияант ифазных доменов может быть выполнен на подложке, отклоненной от сингулярной плоскости (100) менее чем на 4-6° или без использования переходного слоя из наностолбиков GaAs. Выполненная предварительная обработка кремниевой подложки в виде травленияпо зволяет получить на ней методом газофазной эпитаксии пленку GaAs в монокристаллическом состоянии со значительно меньшим коэффициентом релаксации, что положительно отражается на ее структурном качестве. Эти данные находятся в хорошем согласовании с результатами ИК-спектроскопии на отражение, фотолюминесцентной и УФ-спектроскопии. Особенности оптических свойств интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100) в инфракрасной и ультрафиолетовой областях спектра также определяются значением коэффициента релаксации. |
| Ключевые слова | гетероструктуры GaAs/Si(100) |
|
газофазная эпитаксия подложки Si пленки GaAs арсенид галлия кремний кремниевые подложки |
|
|
Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Лукин, А. Н. Худяков, Ю. Ю. Арсентьев, И. Н. Жаботинский, А. В. Николаев, Д. Н. Пихтин, Н. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 8. - С. 881-890 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
| Тип документа | b |
