-
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Мизеров, А. М., Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 70-76
Середин_влияние
-
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562
Середин_влияние
-
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Пихтин, Н. А.
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 881-890
Середин_влияние
-
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503
Середин_влияние
-
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354
Середин_оптические