Поиск

Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)

Авторы: Середин, П. В. Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Худяков, Ю. Ю. Мизеров, А. М. Арсентьев, И. Н. Бельтюков, А. Н. Leiste, Harald Rinke, Monika
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
Электронный ресурс
Ключевые слова эпитаксиальные гетероструктуры
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562
Имя макрообъекта Середин_влияние