Поиск

Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)

Авторы: Середин, П. В. Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Леньшин, А. С. Худяков, Ю. Ю. Мизеров, А. М. Арсентьев, И. Н. Бельтюков, А. Н. Leiste, Harald Rinke, Monika
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/691166545
Дата корректировки 14:54:07 25 ноября 2021 г.
Стандартный номер 10.21883/FTP.2018.13.46865.8888
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Середин, П. В.
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
Электронный ресурс
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 28 назв.
Аннотация С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния c-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки In[x]Ga[1-x]N. С привлечением комплекса структурных и микроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок In[x]Ga[1-x]N на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на c-Si. Подложка por-Si задает преимущественную ориентацию роста наноколонок In[x]Ga[1-x]N ближе к направлению ориентации Si(111), а также позволяет получить наноколонны In[x]Ga[1-x]N с более высокой кристаллографической однородностью и унифицированным по всей поверхности латеральным размером наноколонн ~ 40 нм.
Ключевые слова эпитаксиальные гетероструктуры
гетероструктуры
молекулярно-пучковая эпитаксия
плазменная активация азота
азот
монокристаллический кремний
подложки монокристаллического кремния
кремний
Голощапов, Д. Л.
Золотухин, Д. С.
Кондрашин, М. А.
Леньшин, А. С.
Худяков, Ю. Ю.
Мизеров, А. М.
Арсентьев, И. Н.
Бельтюков, А. Н.
Leiste, Harald
Rinke, Monika
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562
Имя макрообъекта Середин_влияние
Тип документа b