| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691166545 |
| Дата корректировки | 14:54:07 25 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.13.46865.8888 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния c-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки In[x]Ga[1-x]N. С привлечением комплекса структурных и микроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок In[x]Ga[1-x]N на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на c-Si. Подложка por-Si задает преимущественную ориентацию роста наноколонок In[x]Ga[1-x]N ближе к направлению ориентации Si(111), а также позволяет получить наноколонны In[x]Ga[1-x]N с более высокой кристаллографической однородностью и унифицированным по всей поверхности латеральным размером наноколонн ~ 40 нм. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные гетероструктуры |
|
гетероструктуры молекулярно-пучковая эпитаксия плазменная активация азота азот монокристаллический кремний подложки монокристаллического кремния кремний |
|
|
Голощапов, Д. Л. Золотухин, Д. С. Кондрашин, М. А. Леньшин, А. С. Худяков, Ю. Ю. Мизеров, А. М. Арсентьев, И. Н. Бельтюков, А. Н. Leiste, Harald Rinke, Monika |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
| Тип документа | b |
