Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Leiste, Harald

Статьи. Автор - Leiste, Harald

• Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Мизеров, А. М., Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 70-76 Середин_влияние
• Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Тарасов, И. С., Шамахов, В. В., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 124-132 Середин_эпитаксиальные
• Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562 Середин_влияние
• Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
  Середин, П. В., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Вавилова, Л. С., Тарасов, И. С., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 .- Середин_структурные
• Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100), [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 118-124 Середин_влияние
• Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
  
  Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503 Середин_влияние