| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Цель работы заключалась в исследовании структурных и оптических свойств монокристаллического GaAs(100), легированного атомами хрома путем их вжигания в подложку при высокой температуре. Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию тонкого (~ 20-40 мкм) переходного слоя GaAs:Cr. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Такое поведение легирующей примеси с увеличением времени диффузии хрома ведет к изменениям в энергетической структуре GaAs, уменьшению поглощения на свободных носителях заряда, а также снижению поверхностной рекомбинации, что в итоге приводит к значительному усилению интенсивности фотолюминесценции от образца. |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 |
| Имя макрообъекта | Середин_структурные |
