| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671555635 |
| Дата корректировки | 15:23:46 12 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом Электронный ресурс |
|
| Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped by Cr | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Цель работы заключалась в исследовании структурных и оптических свойств монокристаллического GaAs(100), легированного атомами хрома путем их вжигания в подложку при высокой температуре. Диффузия хрома в монокристаллические подложки GaAs(100) приводит к образованию тонкого (~ 20-40 мкм) переходного слоя GaAs:Cr. При этом атомы хрома встраиваются в кристаллическую решетку арсенида галлия и занимают регулярные позиции атомов металлической подрешетки. Такое поведение легирующей примеси с увеличением времени диффузии хрома ведет к изменениям в энергетической структуре GaAs, уменьшению поглощения на свободных носителях заряда, а также снижению поверхностной рекомбинации, что в итоге приводит к значительному усилению интенсивности фотолюминесценции от образца. |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
|
легирование монокристаллические подложки фотолюминесценция легированный хром хром полупроводниковые соединения полупроводники |
|
|
Федюкин, А. В. Арсентьев, И. Н. Вавилова, Л. С. Тарасов, И. С. Prutskij, Tatiana Leiste, Harald Rinke, Monika |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 |
| Имя макрообъекта | Середин_структурные |
| Тип документа | b |
