Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Арсентьев, И. Н.

Статьи. Автор - Арсентьев, И. Н.

• Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Мизеров, А. М., Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 70-76 Середин_влияние
• Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Голощапов, Д. Л., Лукин, А. Н., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В.
  
  Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1041-1048 Середин_влияние
• Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Тарасов, И. С., Шамахов, В. В., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 124-132 Середин_эпитаксиальные
• Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562 Середин_влияние
• Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
  Середин, П. В., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Вавилова, Л. С., Тарасов, И. С., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 .- Середин_структурные
• Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Пихтин, Н. А.
  
  Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 881-890 Середин_влияние
• Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Николаев, Д. Н., Prutskij, Тatiana
  
  Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1131-1137 Середин_экспериментальные
• Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Prutskij, Тatiana
  
  Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 9. - С. 1160-1167 .- Середин_экспериментальные
• Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100), [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 118-124 Середин_влияние
• Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
  Середин, П. В., Голощапов, Д. А., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Бондарев, А. Д., Лубянский, Я. В., Тарасов, И. С.
  
  Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1283-1294 .- Середин_особенности
• Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
  
  Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503 Середин_влияние
• Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
  
  Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354 Середин_оптические