| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методами структурного анализа, атомно-силовой микроскопии, инфракрасной и видимой-ультрафиолетовой спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Пленки нитрида алюминия могут иметь показатель преломления в диапазоне 1.6-4.0 для области длин волн ~ 250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны ~ 5 эВ. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs. |
| Ключевые слова | структурно-спектроскопические исследования |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1283-1294 |
| Имя макрообъекта | Середин_особенности |
