| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/674832468 |
| Дата корректировки | 13:39:28 20 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs Электронный ресурс |
|
| Growth paculiarities and structural-spectroscopic studies of nanoprofiled AlN films perpared on misoriented GaAs substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 42 назв. |
| Аннотация | Методами структурного анализа, атомно-силовой микроскопии, инфракрасной и видимой-ультрафиолетовой спектроскопии были исследованы свойства наноструктурированных пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs с различной ориентацией. Пленки нитрида алюминия могут иметь показатель преломления в диапазоне 1.6-4.0 для области длин волн ~ 250 нм и оптическую ширину запрещенной зоны ~ 5 эВ. Показано, что управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs может быть достигнуто за счет использования разориентированных подложек GaAs. |
| Ключевые слова | структурно-спектроскопические исследования |
|
нанопрофилированные пленки атомно-силовая микроскопия инфракрасная спектроскопия нитрид алюминия ионно-плазменное распыление рентгеновская дифракция рентгеновский микроанализ ультрафиолетовая-видимая спектроскопия диэлектрические пленки |
|
|
Голощапов, Д. А. Леньшин, А. С. Лукин, А. Н. Федюкин, А. В. Арсентьев, И. Н. Бондарев, А. Д. Лубянский, Я. В. Тарасов, И. С. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 9. - С. 1283-1294 |
| Имя макрообъекта | Середин_особенности |
| Тип документа | b |
