-
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Голощапов, Д. Л., Лукин, А. Н., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В.
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1041-1048
Середин_влияние
-
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Середин, П. В., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Вавилова, Л. С., Тарасов, И. С., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 .-
Середин_структурные
-
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100), [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 118-124
Середин_влияние
-
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Середин, П. В., Голощапов, Д. А., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Бондарев, А. Д., Лубянский, Я. В., Тарасов, И. С.
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1283-1294 .-
Середин_особенности
