| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследовано влияние степени разориентации подложки GaAs, а также ее обработки на структурные и оптические характеристики гомоэпитаксиальных структур GaAs/GaAs(100), выращенных методом MOCVD. На основе данных комплекса структурных и спектроскопических методов показано, что увеличение степени отклонения подложки от точной ориентации до 4° к [110] приводит к ступенчатому росту пленки GaAs на первоначальном этапе, а дальнейшее увеличение величины разориентации до 10° к [110] приводит к росту числа дефектов в структуре эпитаксиальной пленки. При этом образцы гомоэпитаксиальных структур, выращенные методом MOCVD на подложках GaAs (100) с разориентацией 4° к [110], обладают максимальным выходом фотолюминесценции, превосходящим примерно на 15% аналогичную величину для структур, выращенных на точно ориентированной подложке GaAs(100). Предварительная полировки подложки GaAs (удаление окисного слоя) также приводит к возрастанию эмиссии фотолюминесценции по сравнению с неполированной подложкой того же типа, а для образцов, выращенных на подложках с разориентацией 4° такое увеличение выхода фотолюминесценции составляет величину ~ 30%. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные слои |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 118-124 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
