-
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Мизеров, А. М., Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 70-76
Середин_влияние
-
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Голощапов, Д. Л., Лукин, А. Н., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В.
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1041-1048
Середин_влияние
-
Состав и рекреационная способность нанопорошков пористого кремния
Леньшин, А. С., Кашкаров, В. М., Голощапов, Д. Л., Середин, П. В., Полуместная, К. А., Мараева, Е. В., Солдатенко, С. А., Юраков, Ю. А., Домашевская, Э. П.
Состав и рекреационная способность нанопорошков пористого кремния, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2012, Т. 48, № 10. - С. 1091-1096
-
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562
Середин_влияние
-
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Пихтин, Н. А.
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 881-890
Середин_влияние
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Prutskij, Тatiana
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1160-1167 .-
Середин_экспериментальные
-
Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Ипполитов, Ю. А., Vongsvivut Jitraporn (Pimm)
Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 6. - С. 917-925
Середин_спектроскопические
-
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503
Середин_влияние
-
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354
Середин_оптические