Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Жаботинский, А. В.

Статьи. Автор - Жаботинский, А. В.

• Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Голощапов, Д. Л., Лукин, А. Н., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В.
  
  Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1041-1048 Середин_влияние
• Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Тарасов, И. С., Шамахов, В. В., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 124-132 Середин_эпитаксиальные
• Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Пихтин, Н. А.
  
  Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 881-890 Середин_влияние
• Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
  Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
  
  Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100), [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 118-124 Середин_влияние