| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688486995 |
| Дата корректировки | 14:28:18 25 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.07.46038.8759 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Терещенко, А. Н. | |
|
Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+} Электронный ресурс |
|
| Influence of boron impurity on the emitting properties of dislocation structures in silicon formed by Si{+} ion implantation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 19 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние имплантации бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+} с последующим отжигом. Показано, что имплантация ионов B{+} существенным образом влияет как на интенсивность и состав спектра дислокационной люминесценции, так и на ход температурной зависимости интенсивности полосы D1. Обнаружено, что зависимость не является монотонной и имеет две области возрастания интенсивности полосы D1 с ростом температуры, образуя максимумы при 20 и 60-70K на температурной зависимости. Максимум при 20K связан с особенностями морфологии исследуемой дислокационной структуры, в то время как максимум при 60-70K связан с дополнительной имплантацией примеси бора в дислокационную область образцов. Установлено, что интенсивности наблюдаемых максимумов, а также положение высокотемпературного максимума зависят от концентрации имплантированных ионов B{+}. |
| Служебное примечание | Королёв, Д. С. |
| Ключевые слова | имплантация ионов Si{+} |
|
имплантация ионов B{+} имплантация бора бор дислокационные структуры в кремнии кремний дислокационная люминесценция |
|
|
Королев, Д. С. Михайлов, А. Н. Белов, А. И. Никольская, А. А. Павлов, Д. А. Тетельбаум, Д. И. Штейнман, Э. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 7. - С. 702-707 |
|
| Имя макрообъекта | Терещенко_влияние |
| Тип документа | b |
