Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Терещенко, А. Н.

Статьи. Автор - Терещенко, А. Н.

• Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре
  Привезенцев, В. В., Киселёв, Д. А., Сергеев, А. П., Куликаускас, В. С., Киселев, Д. А., Трифонов, А. Ю., Терещенко, А. Н.
  
  Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре, [Электронный ресурс] цв. ил. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 12. - С. 1376-1382 .- Привезенцев_структура
• Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}
  Терещенко, А. Н. , Королёв, Д. С., Королев, Д. С., Михайлов, А. Н., Белов, А. И., Никольская, А. А., Павлов, Д. А., Тетельбаум, Д. И. , Штейнман, Э. А.
  
  Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si{+}, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 702-707 Терещенко_влияние