| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679059337 |
| Дата корректировки | 11:41:47 8 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44096.8270 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Шерченков, А. А. | |
| Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3] | |
| Electro-physical properties and transport mechanisms in phase change memory thin films on the basis of chalcogenide semiconductors on quasi-binary line GeTe-Sb[2]Te[3] | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 28 назв. |
| Аннотация | Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]: Ge[2]Sb[2]Te[5], GeSb[2]Te[4] и GeSb[4]Te[7]. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3], что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. |
| Ключевые слова | халькогенидные полупроводники |
|
полупроводники тонкие пленки квазибинарный разрез электрофизические характеристики механизмы переноса |
|
|
Козюхин, С. А. Лазаренко, П. И. Бабич, А. В. Богословский, Н. А. Сагунова, И. В. Редичев, Е. Н. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 154-160 |
|
| Имя макрообъекта | Шерченков_электрофизические |
| Тип документа | b |
