-
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe
Фефелов, С. А., Казакова, Л. П., Богословский, Н. А., Цэндин, К. Д.
Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1503-1506
Фефелов_оценка
-
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Лазаренко, П. И., Бабич, А. В., Богословский, Н. А., Сагунова, И. В., Редичев, Е. Н.
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 154-160
Шерченков_электрофизические
-
Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга
Богословский, Н. А., Петров, П. В., Аверкиев, Н. С.
Примесная магнитная восприимчивость полупроводников в случае прямого обменного взаимодействия в модели Изинга, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 11. - С. 2036-2039 .-
Богословский_примесная
-
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5]
Фефелов, С. А., Былёв, А. Б., Казакова, Л. П., Богословский, Н. А., Былев, А. Б., Якубов, А. О.
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5], [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 372-375
Фефелов_многоуровневая
