Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]

Авторы: Шерченков, А. А. Козюхин, С. А. Лазаренко, П. И. Бабич, А. В. Богословский, Н. А. Сагунова, И. В. Редичев, Е. Н.

Индекс УДК	621.315.592
	Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
Аннотация	Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]: Ge[2]Sb[2]Te[5], GeSb[2]Te[4] и GeSb[4]Te[7]. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3], что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти.
Ключевые слова	халькогенидные полупроводники
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 154-160
Имя макрообъекта	Шерченков_электрофизические

Каталог библиотеки БГТУ

Авторы: Шерченков, А. А. Козюхин, С. А. Лазаренко, П. И. Бабич, А. В. Богословский, Н. А. Сагунова, И. В. Редичев, Е. Н.