Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Лазаренко, П. И., Бабич, А. В., Богословский, Н. А., Сагунова, И. В., Редичев, Е. Н.
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 154-160
Шерченков_электрофизические