Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Лазаренко, П. И.

Статьи. Автор - Лазаренко, П. И.

• Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5]
  Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Бабич, А. В., Лазаренко, П. И., Варгунин, А. И.
  
  Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5], [Текст] ил Неорганические материалы, 2017, Т.53, № 1. - С.21-25
• Анализ фемтосекундной модификации тонких пленок A-Ge[2]Sb[2]Te[5] методом XZ-сканирования
  Будаговский, И. А., Кузовков, Д. О., Лазаренко, П. И., Смаев, М. П.
  
  Анализ фемтосекундной модификации тонких пленок A-Ge[2]Sb[2]Te[5] методом XZ-сканирования, И. А. Будаговский, Д. О. Кузовков, П. И. Лазаренко, М. П. Смаев 1 файл (5, 68 Мб) .- Загл. с титул. экрана .-Статья, представленная на конференции "Сверхбыстрые оптические явления (UltrafastLight-2023) " .- // Оптика и спектроскопия .- 2024 .- Т. 132, № 1. - С. 27-33 .-
• Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
  Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Лазаренко, П. И., Бабич, А. В., Богословский, Н. А., Сагунова, И. В., Редичев, Е. Н.
  
  Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 154-160 Шерченков_электрофизические
• Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5]
  Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Бабич, А. В., Лазаренко, П. И., Варгунин, А. И.
  
  Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5], [[Текст]], А. А. Шерченков [и др.] 5 рис., 2 табл. // Неорганические материалы .- 2017 .- Т. 53, № 1. - С. 21-25 .-
• Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования
  Смаев, М. П., Лазаренко, П. И., Федянина, М. Е., Будаговский, И. А., Рааб, А., Сагунова, И. В., Козюхин, С. А.
  
  Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования, М. П. Смаев, П. И. Лазаренко, М. Е. Федянина [и др.] 1 файл (868 Кб) .- Загл. с титул. экрана .-Статья, представленная на Международной конференции "Сверхбыстрые оптические явления" .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 2. - С. 196-201 .-
• Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] при фемтосекундном лазерном облучении
  Колчин, А. В., Заботнов, С. В., Шулейко, Д. В., Лазаренко, П. И., Глухенькая, В. Б., Козюхин, С. А., Кашкаров, П. К.
  
  Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] при фемтосекундном лазерном облучении, А. В. Колчин, С. В. Заботнов, Д. В. Шулейко [и др.] 1 файл (643 Кб) .- Загл. с титул. экрана .-Статья, представленная на Международной конференции "Сверхбыстрые оптические явления" .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 2. - С. 145-153 .-
• Материалы фазовой памяти и их применение
  Козюхин, С. А., Лазаренко, П. И., Попов, А. И., Еременко, И. Л.
  
  Материалы фазовой памяти и их применение, С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. И. Попов, И. Л. Еременко 34 рис., 2 табл. // Успехи химии .- 2022 .- Т. 91, № 9. - С. [5-43] .-