| Индекс УДК | 535.2/3 |
|
Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования М. П. Смаев, П. И. Лазаренко, М. Е. Федянина [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (868 Кб) |
| Примечание |
Загл. с титул. экрана Статья, представленная на Международной конференции "Сверхбыстрые оптические явления" |
| Аннотация | Материалы фазовой памяти благодаря высокой восприимчивости к низкоинтенсивным световым полям чрезвычайно привлекательны для устройств активной микрофотоники и интегральной оптики. В результате быстрого фазового переключения данные материалы изменяют показатель преломления в широком спектральном диапазоне, что нашло применение в системах хранения информации. В настоящей работе проведены исследования формирования двухфазных периодических структур, состоящих из чередующихся полос аморфной и кристаллической фаз на поверхности тонкопленочных материалов Ge[2]Sb[2]Te[5], при воздействии лазерными импульсами ультракороткой длительности. Периодические структуры сформированы на длине волны 1030 nm при различных длительностях и частотах следования световых импульсов. Установлено, что упорядоченность двухфазных структур, получаемых при постоянной плотности энергии, практически не меняется при увеличении частоты следования от 10 kHz до 1 MHz, однако изменение длительности импульса от 180 fs до 10 ps приводит к нарушению периодической структуры вследствие формирования протяженных непрерывно закристаллизованных областей. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 131, № 2. - С. 196-201 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=53750402 |
