| Индекс УДК | 544 |
|
Материалы фазовой памяти и их применение С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. И. Попов, И. Л. Еременко |
|
| Аннотация | В последние 30 лет наблюдается стремительный рост исследований материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников - от лабораторных разработок до широкого применения в качестве функциональных слоев в различных устройствах. Прежде всего это касается соединений системы Ge-Sb-Te, что с полным основанием позволяет считать их функциональными материалами. В обзоре представлен современный взгляд на проблему управления свойствами материалов фазовой памяти путем их химического и структурного модифицирования. Освещены как существующие, так и перспективные области применения данных материалов. При рассмотрении химического модифицирования основное внимание уделено таким распространенным примесям, как висмут, олово, кислород, азот, а также добавкам тугоплавких металлов. При обсуждении структурного модифицирования подробно рассмотрено применение лазерного излучения. В настоящее время это одно из основных направлений решения проблемы повышения быстродействия устройств на основе материалов фазовой памяти. Проанализированы результаты исследований эффекта формирования в таких материалах периодических поверхностных структур и подчеркнуто, что данный эффект уже в ближайшем будущем может найти применение в нанофотонике и оптоэлектронике. |
| Название источника | Успехи химии |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 91, № 9. - С. [5-43] |
