| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | uchm22_to91_no9_ss0_ad1 |
| Дата корректировки | 8:54:10 28 декабря 2022 г. |
| Кодируемые данные | 221129s2022||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
| Системный контрольный номер | RUMARS-uchm22_to91_no9_ss0_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Научная библиотека Чувашского государственного университета МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 544 |
| Индекс ББК |
24.5 24.5 |
|
Таблицы для массовых библиотек Таблицы для массовых библиотек |
|
|
Козюхин, С. А. доктор химических наук; профессор; главный научный сотрудник Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова Российской академии наук 070 |
|
|
Материалы фазовой памяти и их применение С. А. Козюхин, П. И. Лазаренко, А. И. Попов, И. Л. Еременко |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | 34 рис., 2 табл. |
| Текст | |
| непосредственный | |
| Библиография | Библиогр.: с. [37-43] (366 назв. ) |
| Аннотация | В последние 30 лет наблюдается стремительный рост исследований материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников - от лабораторных разработок до широкого применения в качестве функциональных слоев в различных устройствах. Прежде всего это касается соединений системы Ge-Sb-Te, что с полным основанием позволяет считать их функциональными материалами. В обзоре представлен современный взгляд на проблему управления свойствами материалов фазовой памяти путем их химического и структурного модифицирования. Освещены как существующие, так и перспективные области применения данных материалов. При рассмотрении химического модифицирования основное внимание уделено таким распространенным примесям, как висмут, олово, кислород, азот, а также добавкам тугоплавких металлов. При обсуждении структурного модифицирования подробно рассмотрено применение лазерного излучения. В настоящее время это одно из основных направлений решения проблемы повышения быстродействия устройств на основе материалов фазовой памяти. Проанализированы результаты исследований эффекта формирования в таких материалах периодических поверхностных структур и подчеркнуто, что данный эффект уже в ближайшем будущем может найти применение в нанофотонике и оптоэлектронике. |
|
Химия AR-MARS Физическая химия в целом AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
лазерное облучение примесные элементы структурное модифицирование фазовая память фазовые переходы халькогенидные соединения халькогенидные стеклообразные полупроводники химическое модифицирование |
|
Лазаренко, П. И. кандидат технических наук; доцент Национальный исследовательский университет "МИЭТ" 070 Попов, А. И. доктор технических наук; профессор Национальный исследовательский университет "МЭИ" 070 Еременко, И. Л. академик; доктор химических наук; профессор; заведующий лабораторией Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова Российской академии наук 070 |
|
| ISSN | 0042-1308 |
| Название источника | Успехи химии |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 91, № 9. - С. [5-43] |
|
RU 42813093 20221129 RCR |
|
|
RU 42813093 20221129 |
|
|
RU AR-MARS 20221129 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20221129 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
uchm 2022 91 9 0 1 |
|
| 244 | |
|
Kozyukhin, S. A. Lazarenko, P. I. Popov, A. I. Eremenko, I. L. |
