| Индекс УДК | 535.2/3 |
|
Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] при фемтосекундном лазерном облучении А. В. Колчин, С. В. Заботнов, Д. В. Шулейко [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (643 Кб) |
| Примечание |
Загл. с титул. экрана Статья, представленная на Международной конференции "Сверхбыстрые оптические явления" |
| Аннотация | Облучение фемтосекундными лазерными импульсами тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge[2]Sb[2]Te[5] позволяет осуществлять фазовые переходы из аморфного состояния в кристаллическое и обратно. В настоящей работе возможность инициации процессов аморфизации и кристаллизации в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] набором импульсов лазерного излучения с длительностью 135 fs подтверждается экспериментально и теоретически. Согласно двухтемпературной модели и экспериментальным данным, оценены кинетики температур электронов и решетки во время фемтосекундного лазерного воздействия. Оценка проводилась с учетом динамического изменения диэлектрической проницаемости материала пленки, линейного оптического поглощения и коэффициента отражения, существенно влияющих на воздействие сверхкороткого лазерного импульса в течение его длительности. Определены температуры и скорости охлаждения, необходимые для достижения инициации фазовых переходов ИК лазерными импульсами с субпикосекундной длительностью. Полученные результаты открывают перспективы к дальнейшему повышению скорости работы создаваемых энергонезависимых активных устройств нанофотоники на основе Ge[2]Sb[2]Te[5] за счет применения импульсов с фемтосекундной длительностью для переключения фазового состояния. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 131, № 2. - С. 145-153 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=53750393 |
