| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | opsp23_to131_no2_ss145_ad1 |
| Дата корректировки | 11:22:16 31 июля 2023 г. |
| Кодируемые данные | 230602s2023||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
|
10. 21883/OS. 2023. 02. 54996. 10-23 DOI |
|
| Системный контрольный номер | RUMARS-opsp23_to131_no2_ss145_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 535.2/3 |
| Индекс ББК | 22.343 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Колчин, А. В. Институт общей и неорганической химии имени Н. С. Курнакова 070 |
|
|
Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] при фемтосекундном лазерном облучении А. В. Колчин, С. В. Заботнов, Д. В. Шулейко [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (643 Кб) |
| Текст | |
| электронный | |
| Примечание |
Загл. с титул. экрана Статья, представленная на Международной конференции "Сверхбыстрые оптические явления" |
| Библиография | Библиогр.: с. 152-153 (25 назв.) |
| Аннотация | Облучение фемтосекундными лазерными импульсами тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge[2]Sb[2]Te[5] позволяет осуществлять фазовые переходы из аморфного состояния в кристаллическое и обратно. В настоящей работе возможность инициации процессов аморфизации и кристаллизации в тонких пленках Ge[2]Sb[2]Te[5] набором импульсов лазерного излучения с длительностью 135 fs подтверждается экспериментально и теоретически. Согласно двухтемпературной модели и экспериментальным данным, оценены кинетики температур электронов и решетки во время фемтосекундного лазерного воздействия. Оценка проводилась с учетом динамического изменения диэлектрической проницаемости материала пленки, линейного оптического поглощения и коэффициента отражения, существенно влияющих на воздействие сверхкороткого лазерного импульса в течение его длительности. Определены температуры и скорости охлаждения, необходимые для достижения инициации фазовых переходов ИК лазерными импульсами с субпикосекундной длительностью. Полученные результаты открывают перспективы к дальнейшему повышению скорости работы создаваемых энергонезависимых активных устройств нанофотоники на основе Ge[2]Sb[2]Te[5] за счет применения импульсов с фемтосекундной длительностью для переключения фазового состояния. |
| Примеч. о целев. назн. | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
|
Физика AR-MARS Физическая оптика AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
тонкие пленки (физика) фазовые переходы обратимые фазовые переходы кинетика фазовых переходов лазерное облучение фемтосекундное лазерное облучение спектроскопия рассеяния света |
|
Заботнов, С. В. Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова 070 Шулейко, Д. В. Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова 070 Лазаренко, П. И. Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“ 070 Глухенькая, В. Б. Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“ 070 Козюхин, С. А. Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“ 070 Кашкаров, П. К. Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова; Национальный исследовательский центр ”Курчатовский институт" 070 |
|
|
"Сверхбыстрые оптические явления", международная конференция Москва 2022 Вторичная ответственность |
|
| ISSN | 0030-4034 |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Т. 131, № 2. - С. 145-153 |
|
RU 19013582 20230602 RCR |
|
|
RU 19013582 20230602 |
|
|
RU AR-MARS 20230606 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20230606 |
|
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=53750393 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
opsp 2023 131 2 145 1 |
|
| 13761 | |
| Физическая оптика | |
| drc cu | |
| uabc | |
| html |
