-
Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5]
Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Бабич, А. В., Лазаренко, П. И., Варгунин, А. И.
Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5], [Текст]
ил
Неорганические материалы, 2017, Т.53, № 1. - С.21-25
-
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Лазаренко, П. И., Бабич, А. В., Богословский, Н. А., Сагунова, И. В., Редичев, Е. Н.
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 154-160
Шерченков_электрофизические
-
Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5]
Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Бабич, А. В., Лазаренко, П. И., Варгунин, А. И.
Интегральный изоконверсионный метод оценки параметров кристаллизации тонких пленок материалов фазовой памяти Ge[2]Sb[2]Te[5], [[Текст]], А. А. Шерченков [и др.]
5 рис., 2 табл.
// Неорганические материалы .-
2017 .-
Т. 53, № 1. - С. 21-25 .-
