Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Сагунова, И. В.

Статьи. Автор - Сагунова, И. В.

• Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3]
  Шерченков, А. А., Козюхин, С. А., Лазаренко, П. И., Бабич, А. В., Богословский, Н. А., Сагунова, И. В., Редичев, Е. Н.
  
  Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb[2]Te[3] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 154-160 Шерченков_электрофизические
• Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования
  Смаев, М. П., Лазаренко, П. И., Федянина, М. Е., Будаговский, И. А., Рааб, А., Сагунова, И. В., Козюхин, С. А.
  
  Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge[2]Sb[2]Te[5] при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования, М. П. Смаев, П. И. Лазаренко, М. Е. Федянина [и др.] 1 файл (868 Кб) .- Загл. с титул. экрана .-Статья, представленная на Международной конференции "Сверхбыстрые оптические явления" .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 2. - С. 196-201 .-