-
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии
Бринкевич, Д. И., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н., Вабищевич, С. А., Вабищевич, Н. В., Гайшун, В. Е.
ил., табл.
// Приборы и методы измерений .-
2016 .-
Т. 7, № 1. - С. 77-84 .-
-
Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шума
Буслюк, В. В., Нерода, И. Ю., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н., Лановский, Р. А.
Электрофизические параметры генераторных диодов для создания широкополосного шума, [[Текст]], В. В. Буслюк [и др.]
3 ил.
// Журнал Белорусского государственного университета. Физика .-
2017 .-
№ 1. - С. 95-99 .-
-
Модификация приповерхностных слоев монокристаллов кремния, имплантированных высокоэнергетическими ионами фосфора и бора
Бринкевич, Д. И., Вабищевич, С. А., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н.
ил., табл.
// Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук .-
2014 .-
№ 4. - С. 98-102 .-
-
Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии
Вабищевич, С. А., Вабищевич, Н. В., Бринкевич, Д. И., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н.
Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии, [Текст]
ил.
Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. С, Фундаментальные науки, 2015, № 12. - С. 67-71
-
Повышение эффективности промышленного кремниевого солнечного элемента легированием никелем
Бахадырханов, М. К., Кенжаев, З. Т., Исмайлов, Б. К., Оджаев, В. Б., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н.
Повышение эффективности промышленного кремниевого солнечного элемента легированием никелем, М. К. Бахадырханов [и др.]
2021 .-
рис.
-
Модификация пленок диазохинонноволачного фоторезиста имплантацией ионов бора
Бринкевич, Д. И., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н.
Модификация пленок диазохинонноволачного фоторезиста имплантацией ионов бора, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, Ю. Н. Янковский
2020 .-
2 табл., 3 рис.
-
Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов
Вабищевич, Н. В., Вабищевич, С. А., Бринкевич, Д. И., Оджаев, В. Б., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н., Простомолотов, А. И.
Дефектообразование в фоторезисте за слоем внедрения ионов, [Текст]
Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. С, Фундаментальные науки, 2013, № 4. - С. 69-74
-
Прочностные свойства структур фоторезист-кремний, y-облученных и имплантированных ионами B{+} и P{+}
Вабищевич, С. А., Вабищевич, Н. В., Бринкевич, Д. И., Просолович, В. С., Янковский, Ю. Н., Бринкевич, С. Д.
Прочностные свойства структур фоторезист-кремний, y-облученных и имплантированных ионами B{+} и P{+}, [Текст]
ил.
Вестник Полоцкого государственного университета. Сер. C, Фундаментальные науки, 2016, № 12. - С. 30-36
-
Электрофизические характеристики силовых МОП-трансзисторов, дополнительно имплантированных ионами азота
Оджаев, В. Б., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Ковальчук, Н. С., Соловьев, Я. А., Шестовский, Д. В., Явид, В. Ю., Янковский, Ю. Н.
Электрофизические характеристики силовых МОП-трансзисторов, дополнительно имплантированных ионами азота, В. Б. Оджаев [и др.]
2022 .-
7 рис., 1 табл.
