-
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Мизеров, А. М., Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 70-76
Середин_влияние
-
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Голощапов, Д. Л., Лукин, А. Н., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В.
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 1041-1048
Середин_влияние
-
Особенности формирования золь-гель методом наноструктурированных систем на основе оксидов олова и индия в матрице пористого кремния и их оптические свойства
Леньшин, А. С., Середин, П. В., Минаков, Д. А., Кононова, И. Е., Мошников, В. А.
Особенности формирования золь-гель методом наноструктурированных систем на основе оксидов олова и индия в матрице пористого кремния и их оптические свойства, [Текст]
ил.
Физика и химия стекла, 2015, Т. 41, № 4. - С. 558-564
-
Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Тарасов, И. С., Шамахов, В. В., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
Эпитаксиальные твердые растворы Al[x]Ga[1-x]As : Mg с различным типом проводимости, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 124-132
Середин_эпитаксиальные
-
Состав и рекреационная способность нанопорошков пористого кремния
Леньшин, А. С., Кашкаров, В. М., Голощапов, Д. Л., Середин, П. В., Полуместная, К. А., Мараева, Е. В., Солдатенко, С. А., Юраков, Ю. А., Домашевская, Э. П.
Состав и рекреационная способность нанопорошков пористого кремния, [Текст]
ил.
Неорганические материалы, 2012, Т. 48, № 10. - С. 1091-1096
-
Состав и оптические свойства аморфных пленок a-SiO[x] : H с нанокластерами кремния
Терехов, В. А., Теруков, Е. И., Ундалов, Ю. К., Паринова, Е. В., Спирин, Д. Е., Середин, П. В., Минаков, Д. А., Домашевская, Э.П.
Состав и оптические свойства аморфных пленок a-SiO[x] : H с нанокластерами кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 2. - С. 212-217 .-
Терехов_состав
-
Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
Леньшин, А. С., Кашкаров, В. М., Домашевская, Э. П., Середин, П. В., Бельтюков, А. Н., Гильмутдинов, Ф. З.
Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 4. - С. 773-782 .-
Леньшин_состав
-
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1553-1562
Середин_влияние
-
Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор
Леньшин, А. С., Лёньшин, А. С., Середин, П. В., Кавецкая, И. В., Минаков, Д. А., Кашкаров, В. М.
Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 193-197
Леньшин_исследование
-
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
Середин, П. В., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Вавилова, Л. С., Тарасов, И. С., Prutskij, Tatiana, Leiste, Harald, Rinke, Monika
Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 7. - С. 869-876 .-
Середин_структурные
-
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Пихтин, Н. А.
Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 881-890
Середин_влияние
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Николаев, Д. Н., Prutskij, Тatiana
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их структурные и морфологические свойства, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1131-1137
Середин_экспериментальные
-
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Худяков, Ю. Ю., Арсентьев, И. Н., Prutskij, Тatiana
Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga[x]In[1-x]P на их оптические свойства, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 9. - С. 1160-1167 .-
Середин_экспериментальные
-
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
Середин, П. В., Леньшин, А. С., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Жаботинский, А. В., Николаев, Д. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100), [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 118-124
Середин_влияние
-
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
Середин, П. В., Голощапов, Д. А., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Федюкин, А. В., Арсентьев, И. Н., Бондарев, А. Д., Лубянский, Я. В., Тарасов, И. С.
Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 9. - С. 1283-1294 .-
Середин_особенности
-
Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Ипполитов, Ю. А., Vongsvivut Jitraporn (Pimm)
Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 6. - С. 917-925
Середин_спектроскопические
-
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503
Середин_влияние
-
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354
Середин_оптические
