-
Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния
Китаев, Ю. Э., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Эволюция симметрии промежуточных фаз и их фононных спектров в процессе топохимического превращения кремния в карбид кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 1. - С. 30-35 .-
Китаев_эволюция
-
Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si
Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Николаев, В. И., Осипов, А. В., Осипова, Е. В., Сошников, И. П.
Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2018 .-
Т. 60, вып. 5. - С. 851-856 .-
Гращенко_исследование анизотропных
-
Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Бессолов, В. Н., Коненкова, Е. В., Пантелеев, В. Н.
Остановка и разворот дислокаций несоответствия при росте нитрида галлия на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 4. - С. 660-667 .-
Кукушкин_остановка
-
Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов
Кукушкин, С. А., Нусупов, К. Х., Осипов, А. В., Бейсенханов, Н. Б., Бакранова, Д. И.
Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 5. - С. 986-998 .-
Кукушкин_рентгеновская
-
Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов (обзор)
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Эпитаксиальный карбид кремния на кремнии. Метод согласованного замещения атомов (обзор), С. А. Кукушкин, А. В. Осипов
К 90-летию со дня рождения А. И. Русанова .-
// Журнал общей химии .-
2022 .-
Т. 92, № 4. - С. 547-577 .-
-
Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Квантово-механическая модель дилатационных диполей при топохимическом синтезе карбида кремния из кремния, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 6. - С. 1214-1217 .-
Кукушкин_квантово-механическая
-
ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
Грудинкин, С. А., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Феоктистов, Н. А.
ИК-спектры углерод-вакансионных кластеров при топохимическом превращении кремния в карбид кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 12. - С. 2403-2408 .-
Грудинкин_ИК-спектры
-
Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
Антипов, В. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 3. - С. 612-615 .-
Антипов_эпитаксиальный
-
Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 4. - С. 725-729 .-
Кукушкин_фазовое
-
Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Сергеева, О. Н., Киселев, Д. А., Богомолов, А. А., Солнышкин, А. В., Каптелов, Е. Ю., Сенкевич, С. В., Пронин, И. П.
Пироэлектрический и пьезоэлектрический отклики тонких пленок AlN, эпитаксиально выращенных на подложке SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 5. - С. 937-940 .-
Кукушкин_пироэлектрический
-
Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Телятник, Р. С.
Упругое взаимодействие точечных дефектов в кубических и гексагональных кристаллах, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 5. - С. 941-949 .-
Кукушкин_упругое
-
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Романычев, А. И.
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 7. - С. 1398-1402 .-
Кукушкин_эпитаксиальный
-
Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
Кукушкин, С. А., Николаев, В. И., Осипов, А. В., Осипова, Е. В., Печников, А. И., Феоктистов, Н. А.
Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 9. - С. 1812-1817 .-
Кукушкин_эпитаксиальный оксид
-
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Цырлин, Г. Э.
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 .-
Резник_рост
-
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
Кукушкин, С. А., Буравлёв, А. Д., Мизеров, А. М., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Тимошнев, С. Н. , Буравлев, А. Д.
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 190-198
Кукушкин_фотоэлектрические
-
Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
Егоров, В. К., Егоров, Е. В., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 4. - С. 755-761 .-
Егоров_структурная
-
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Штром, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Цырлин, Г. Э.
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1525-1529
Резник_синтез
-
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Редьков, А. В.
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 3. - С. 414-420 .-
Кукушкин_отделение
-
Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов
Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Феоктистов, Н. А.
Двухстадийная конверсия кремния в наноструктурированный углерод методом согласованного замещения атомов, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2019 .-
Т. 61, вып. 3. - С. 587-593 .-
Кукушкин_двухстадийная
-
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
Гращенко, А. С., Феоктистов, Н. А., Осипов, А. В., Калинина, Е. В., Кукушкин, С. А.
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 651-658
Гращенко_фотоэлектрические
