| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные гетероструктуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 3. - С. 414-420 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_отделение |
