| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679143320 |
| Дата корректировки | 11:00:59 9 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44218.8368 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кукушкин, С. А. | |
|
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов Электронный ресурс |
|
| Separation of III-N/SiC epitaxial heterostructure from Si substrate and their transfer onto other types of substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали. |
| Ключевые слова | эпитаксиальные гетероструктуры |
|
гетероструктуры подложки Si кремний карбид кремния арсенид галлия нитрид галлия монокристаллы химическое травление |
|
|
Осипов, А. В. Редьков, А. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 3. - С. 414-420 |
| Имя макрообъекта | Кукушкин_отделение |
| Тип документа | b |
