-
Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2]
Грачев, Д. А., Ершов, А. В., Карабанова, И. А., Пирогов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Павлов, Д. А.
Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO[x] и многослойных структурах Ge/SiO[2], [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 5. - С. 965-971 .-
Грачев_влияние
-
Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур a-SiO[x]/ZrO[2], подвергнутых высокотемпературному отжигу
Боряков, А. В., Суродин, С. И., Николичев, Д. Е., Ершов, А. В.
Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур a-SiO[x]/ZrO[2], подвергнутых высокотемпературному отжигу, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика твердого тела .-
2017 .-
Т. 59, вып. 6. - С. 1183-1191 .-
Боряков_химический
-
Технология пасилирования позволяет улучшить фармакокинетические свойства рекомбинантного интерферона B-1b человека in vivo
Звонова, Е. А., Ершова, О. А., Ершов, А. В., Белянина, Е. С., Лыков, М. В., Вишневский, А. Ю., Карпов, А. П., Ручко, С. В., Шустер, А. М., Соловьев, А. А.
Технология пасилирования позволяет улучшить фармакокинетические свойства рекомбинантного интерферона B-1b человека in vivo, [[Текст]], Е. А. Звонова [и др.]
// Биотехнология .-
2018 .-
Т. 34, № 2. - С. 37-46 .-
-
Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах a-SiO[x]/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
Турищев, С. Ю., Терехов, В. А., Коюда, Д. А., Ершов, А. В., Машин, А. И., Паринова, Е. В., Нестеров, Д. Н., Грачев, Д. А., Карабанова, И. А., Домашевская, Э. П.
// Физика и техника полупроводников .-
2017 .-
Т. 51, вып. 3. - С. 363-366 .-
Турищев_формирование
-
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах
Сресели, О. М. , Бёрт, Н. А., Елистратова, М. А., Горячев, Д. Н., Берегулин, Е. В., Неведомский, В. Н., Берт, Н. А., Ершов, А. В.
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур а-Si/SiO[2] и а-Ge/SiO[2] на подложках p-Si, отожженных при разных температурах , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1112-1116
Сресели_электрические
-
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
Байдусь, Н. В., Алёшкин, В. Я., Некоркин, С. М., Колпаков, Д. А. , Ершов, А. В., Алешкин, В. Я., Дубинов, А. А., Афоненко, А. А.
Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 11. - С. 1509-1512
Байдусь_метод
-
Учет взаимного влияния элементов при рентгенофлуоресцентном анализе тонких двухслойных Ti/V-систем
Машин, Н. И., Разуваев, А. Г., Черняева, Е. А., Гафарова, Л. М., Ершов, А. В.
Учет взаимного влияния элементов при рентгенофлуоресцентном анализе тонких двухслойных Ti/V-систем, [[Текст]], Н. И. Машин [и др.]
// Журнал прикладной спектроскопии .-
2018 .-
Т. 85, № 1. - С. 100-107 .-
-
Учет взаимного влияния элементов при рентгенофлуоресцентном анализе тонких двухслойных систем V - Cr
Машин, И. И., Разуваев, А. Г., Черняева, Е. А., Зимина, Е. О., Ершов, А. В.
Учет взаимного влияния элементов при рентгенофлуоресцентном анализе тонких двухслойных систем V - Cr, И. И. Машин, А. Г. Разуваев, Е. А. Черняева [и др.]
3 рис., 2 табл.
// Журнал аналитической химии .-
2020 .-
Т. 75, № 2. - С. 123-131 .-
-
Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Сресели, О. М. , Лихачёв, А. И., Неведомский, В. Н., Лихачев, А. И., Яссиевич, И. Н., Ершов, А. В., Нежданов, А. В., Машин, А. И., Андреев, Б. А., Яблонский, А. Н.
цв. ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 2. - С. 129-137 .-
Сресели_квантовые
