Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом
  Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Крюков, Р. Н., Антонов, И. Н., Алафердов, А. В., Кунькова, З. Э., Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г.
  
  Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А{3}В{5}, сильно легированных железом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2137-2140 .- Данилов_исследование
• Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
  Малышева, Е. И., Дорохин, М. В., Данилов, Ю. А., Парафин, А. Е., Ведь, М. В., Кудрин, А. В. , Здоровейщев, А. В.
  
  Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 11. - С. 2141-2146 .- Малышева_повышение
• Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением
  Кунькова, З. Э., Ганьшина, Е. А., Голик, Л. Л., Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В. , Ковалев, В. И., Зыков, Г. С., Маркин, Ю. В., Вихрова, О. В., Звонков, Б. Н.
  
  Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 940-946 .- Кунькова_фазовое
• Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур
  Алафердов, А. В., Мошкалёв, С. А., Вихрова,О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Мошкалев, С. А.
  
  Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил., табл. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 3. - С. 399-406 Алафердов_использование
• Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Нежданов, А. В., Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Пашенькин, И. Ю.
  
  Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A{3}B{5} импульсным лазерным отжигом, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2130-2134 .- Вихрова_модифицирование
• Управление циркулярнойполя ризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/дельта(Mn)
  Малышева, Е. И., Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Здоровейщев, А. В. , Рыков, А. В., Ведь, М. В., Данилов, Ю. А.
  
  Управление циркулярнойполя ризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/дельта(Mn), [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2142-2147 .- Малышева_управление
• Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Кудрин, А.В., Калентьева, И. Л., Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
  
  Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 3. - С. 351-358 Звонков_исследование
• Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs : Cr/GaAs
  Дорохин, М. В., Дёмина, П. Б., Демина, П. Б., Данилов, Ю. А., Вихрова, О. В., Кузнецов, Ю. М., Ведь, М. В., Iikawa, F., Balanta, M. A. G.
  
  Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs : Cr/GaAs , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1139-1144 Дорохин_фотолюминесценция
• Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
  Звонков, Б. Н. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Демина, П. Б., Дроздов, М. Н., Здоровейщев, А. В. , Крюков, Р. Н., Нежданов, А. В., Антонов, И. Н.
  
  Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 8. - С. 801-806 Звонков_формирование
• Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Калентьева, И. Л., Нежданов, А. В., Парафин, А. Е., Хомицкий, Д. В., Антонов, И. Н.
  
  Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 12. - С. 1336-1343 Вихрова_импульсное
• Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур
  Данилов, Ю. А., Ведь, М. В., Вихрова, О. В., Дроздов, М. Н., Звонков, Б. Н. , Ковальский, В. А., Крюков, Р. Н., Кудрин, А. В. , Лесников, В. П., Юнин, П. А.
  
  Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 868-872 Данилов_углеродные
• Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Данилов, Ю. А., Кудрин, А. В.
  
  Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 204-207 .- Калентьева_арсенид
• Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Дорохин, М. В., Павлов, Д. А., Антонов, И. Н., Дроздов, М. Н., Усов, Ю. В.
  
  Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 Калентьева_особенности
• Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В. , Антонов, И. Н.
  
  Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1286-1290 Калентьева_влияние
• Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом
  Данилов, Ю. А., Boudinov, H., Вихрова, О. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Павлов, С. А., Парафин, А. Е., Питиримова, Е. А., Якубов, Р. Р.
  
  Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 11. - С. 2140-2144 .- Данилов_формирование
• Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As
  Здоровейщев, А. В. , Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В. , Ларионова, Е. А., Ковальский, В. А., Солтанович, О. А.
  
  Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 3. - С. 373-380 .- Здоровейщев_диодные
• Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
  Яковлев, Г. Е., Дорохин, М. В., Зубков, В. И., Дудин, А. Л., Здоровейщев, А. В. , Малышева, Е. И., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Кудрин, А. В.
  
  Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 8. - С. 873-880 Яковлев_особенности
• Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs
  Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Звонков, Б. Н. , Демина, П. Б., Дорохин, М. В., Калентьева, И. Л., Кудрин, А. В.
  
  Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2196-2199 .- Вихрова_излучающие
• Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной
  Кудрин, А. В. , Данилов, Ю. А., Лесников, В. П., Вихрова, О. В., Павлов, Д. А., Усов, Ю. В., Питиримова, Е. А., Антонов, И. Н.
  
  Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2017 .- Т. 59, вып. 11. - С. 2200-2202 .- Кудрин_однофазные
• Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
  Калентьева, И. Л., Вихрова, О. В., Данилов, Ю. А., Дорохин, М. В., Здоровейщев, А. В. , Кудрин, А. В. , Темирязева, М. П., Темирязев, А. Г., Никитов, С. А., Садовников, А. В.
  
  Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 9. - С. 1694-1699 .- Калентьева_модифицирование