| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs : Cr/GaAs Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты исследования фотолюминесценции с разрешением по времени, выполненные для полупроводниковых гетероструктур, содержащих в матрице GaAs две невзаимодействующие квантовые ямы InGaAs - нелегированную и однородно легированную атомами хрома (InGaAs : Cr). Показано, что введение Cr существенным образом влияет на рекомбинационное время жизни носителей в квантовых ямах. Изменение интенсивности фотолюминесценции начиная с момента возбуждения не описывается моноэкспоненциальной спадающей функцией, что объясняется изменением в квантовых ямах встроенного электрического поля поверхностного барьера вследствие экранирования фотовозбужденными носителями. |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1139-1144 |
|
| Имя макрообъекта | Дорохин_фотолюминесценция |
