| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676541859 |
| Дата корректировки | 8:21:32 9 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.10.49958.40 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Дорохин, М. В. | |
|
Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs : Cr/GaAs Электронный ресурс |
|
| Time-resolved photoluminescence in heterostructures with InGaAs : Cr/GaAs quantum wells | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследования фотолюминесценции с разрешением по времени, выполненные для полупроводниковых гетероструктур, содержащих в матрице GaAs две невзаимодействующие квантовые ямы InGaAs - нелегированную и однородно легированную атомами хрома (InGaAs : Cr). Показано, что введение Cr существенным образом влияет на рекомбинационное время жизни носителей в квантовых ямах. Изменение интенсивности фотолюминесценции начиная с момента возбуждения не описывается моноэкспоненциальной спадающей функцией, что объясняется изменением в квантовых ямах встроенного электрического поля поверхностного барьера вследствие экранирования фотовозбужденными носителями. |
| Дёмина, П. Б. | |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
|
гетероструктуры полупроводниковые гетероструктуры квантовые ямы примесь Cr |
|
|
Демина, П. Б. Данилов, Ю. А. Вихрова, О. В. Кузнецов, Ю. М. Ведь, М. В. Iikawa, F. Balanta, M. A. G. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 10. - С. 1139-1144 |
|
| Имя макрообъекта | Дорохин_фотолюминесценция |
| Тип документа | b |
