| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы различные типы диэлектриков, полученных методом низкотемпературного электронно-лучевого распыления: слои Al[2]O[3] и трехслойные композиции Al[2]O[3]/SiO[2]/Al[2]O[3]. Определена зависимость электрической прочности слоев Al[2]O[3] от толщины. Установлено, что формирование трехслойного диэлектрика Al[2]O[3]/SiO[2]/Al[2]O[3] позволяет увеличить диапазон рабочих напряжений до 60 В для структур с управляющим электродом. Показана возможность управления плотностью носителей (дырок) в двумерном канале проводимости GaAs-структур посредством изменения напряжения на затворе при использовании конструкции слоев Al[2]O[3]/SiO[2]/Al[2]O[3] в качестве подзатворного диэлектрика. |
| Ключевые слова | арсенид галлия |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 204-207 |
| Имя макрообъекта | Калентьева_арсенид |
